光譜儀廠家創(chuàng)想儀器（GLMY）告訴你關(guān)于CMOS與CCD傳感器的比較
CMOS：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，Complementary Metal Oxide Semiconductor
CCD：電荷藕合器件，Charge Coupled Device
CMOS:集成在金屬氧化物半導(dǎo)體材料上。
CCD:集成在半導(dǎo)體單晶材料上;兩者的工作原理一致：都是利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)進(jìn)行光信號(hào)與電信號(hào)轉(zhuǎn)換，主要區(qū)別在于信號(hào)的傳輸處理方式不同。
而CMOS上的每一個(gè)像素點(diǎn)都能讀取光信號(hào)，并且每個(gè)像素點(diǎn)單獨(dú)配置了信號(hào)放大器，能直接將電信號(hào)直接傳輸給電路板。
CMOS檢測(cè)模型圖
CCD的信號(hào)傳輸方式可作如下理解：
接收到的光相當(dāng)于密集的雨點(diǎn)，CCD的像素點(diǎn)相當(dāng)于一個(gè)個(gè)水桶。這些水桶按列平行排布，每一列再逐列傳給轉(zhuǎn)移桶(信號(hào)讀取)，然后將數(shù)據(jù)一起打包放大輸出(數(shù)據(jù)傳輸)，完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。這就是典型的CCD信號(hào)處理過(guò)程。
CCD檢測(cè)模型圖
CMOS對(duì)比CCD的優(yōu)勢(shì)
更高的分辨率由于設(shè)備的動(dòng)態(tài)范圍的提升，準(zhǔn)確測(cè)量譜圖中暗區(qū)域能力也提高了。這個(gè)值預(yù)示著在低信號(hào)水平將會(huì)有更強(qiáng)地分辨能力。
更高的靈敏度
CMOS檢測(cè)器比CCD檢測(cè)器的有更高的光敏性。
更低的功耗
CMOS傳感器的光信號(hào)采集方式為主動(dòng)式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由晶體管放大輸出。但CCD傳感器為被動(dòng)式采集，需外加電壓讓每個(gè)象素中的電荷移動(dòng)，而此外加電壓通常需要達(dá)到12~18V。高驅(qū)動(dòng)電壓更使其功耗遠(yuǎn)高于CMOS傳感器的水平，CCD發(fā)熱量比CMOS更大，對(duì)儀器的散熱/恒溫效果更苛刻。
更寬的動(dòng)態(tài)范圍
動(dòng)態(tài)范圍是指信號(hào)最大值與最小值的比值，CMOS比CCD有大幅提升。由于CMOS動(dòng)態(tài)范圍的提升，測(cè)量光強(qiáng)很弱的暗區(qū)域能力將提高。測(cè)量低含量元素的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性，都會(huì)有很多幫助。